Bóng bán dẫn hiệu ứng trường

• 2SK2225-Đ

  • Điện áp đánh thủng cao (VDSS=1500 V) • Chuyển mạch tốc độ cao • Dòng điện truyền động thấp •

  Hơn
• IRFP4668

  Lợi íchCải thiện độ bền của cổng, tuyết lở và dV/dt độngĐiện dung và tuyết lở được mô tả đầy đủ

  Hơn
• VIPER12A

  VIPer12A kết hợp bộ điều khiển PWM chế độ dòng điện chuyên dụng với MOSFET công suất cao trên cùng

  Hơn
• IRFHS9351TRPBF

  Tổn thất dẫn điện thấp hơn cho phép tản nhiệt tốt hơn Tăng mật độ công suất Sản xuất dễ dàng hơn

  Hơn
• IRLML0030TRPBF

  Tổn thất chuyển mạch thấp hơn Khả năng tương thích với nhiều nhà cung cấp Dễ sản xuất Thân thiện

  Hơn
• Transitor hiệu ứng trường 2N7002ET1G

  2N7002ET1G là MOSFET tín hiệu nhỏ thuộc loại bóng bán dẫn hiệu ứng trường kênh N, có điện trở dẫn

  Hơn
• Transitor LDMOS công suất RF MRFE6VP5300N

  MRFE6VP5300N là Transistor LDMOS công suất RF băng rộng N--Cải tiến kênh--Chế độ MOSFET bên.

  Hơn
• MOSFET nguồn MOSFET nguồn

  STR2P3LLH6 là Transistor hiệu ứng trường MOSFET công suất kênh P. Thiết bị này phù hợp để sử dụng

  Hơn
• ISL9V3040S3ST

  ISL9V3040S3ST là EcoSPARKŠ 300mJ, 400V, IGBT đánh lửa N-Channel và nó cũng là một MOSFET ấn tượng

  Hơn
• IRF4905PBF

  Bóng bán dẫn MOSFET IRF4905PBF là một linh kiện điện tử hiệu quả cao với điện trở cực thấp. Điều

  Hơn
• IRF3205STRLPBF

  IRF3205STRLPBF là một bóng bán dẫn MOSFET mạnh mẽ có công nghệ xử lý tiên tiến, điện trở cực thấp,

  Hơn
• SVF4N60DTR

  SVF4N60DTR là một bóng bán dẫn hiệu ứng trường nâng cao kênh N đặc biệt có các tính năng hàng đầu.

  Hơn